新三板创新层公司瑞能半导新增专利信息授权：“沟槽型MOSFET晶体管”

每经讯，据启信宝，新三板创新层公司瑞能半导（873928）新增专利信息，专利权人为瑞能半导，发明人是付红霞、章剑锋、崔京京。专利授权日为2023年7月28日，专利名称为“沟槽型MOSFET晶体管”，专利类型为中国实用新型专利，专利申请号为CN202320007254.0。

该专利摘要显示：本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括设置在远离第一表面一侧的栅极；设置在栅极与栅极沟槽结构的底部之间的多个相互绝缘的第一场板，在平行于第一表面的方向上，各个第一场板具有相同的长度；栅极与第一场板之间绝缘；在垂直于第一表面的方向上，相邻两个第一场板之间的距离由各个第一场板的厚度确定。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀，且简化制造工艺。

(记者 曾健辉)

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